. : New eShop! - Mobilní verze - Pandatron.cz - Pandatron.sk - Diskuzní fórum - Zakázkový vývoj : .
 
Objev nového materiálu pro stálé elektronické paměti
21. října 2010 - 7:23 | Ing. Leoš Kopecký | Objev nového materiálu pro stálé elektronické paměti | Komentářů: 0  

Objev nového materiálu pro stálé elektronické paměti

Skupina S. Kamby z Fyzikálního ústavu Akademie věd ČR, v. v. i., společně s řadou amerických spolupracovníků teoreticky navrhla a také experimentálně využila mechanického napětí ve velmi tenkých vrstvách EuTiO3 k umělé přípravě feroelektrika, které je zároveň silným umělým magnetem.

V současné době se k digitálnímu záznamu dat používají CD či hard disky, které jsou relativně pomalé. V digitálních fotoaparátech a kamerách používáme stálé flash paměti, jež jsou také pomalé a navíc vydrží jen relativně malý počet zápisů. Nehodí se tedy do operačních pamětí počítačů. Tam se používají polovodičové paměti (tzv. random access memories – RAM).

Ty však mají jednu nevýhodu – jsou nestálé, a proto se v nich veškeré informace ztrácejí při výpadku proudu. Proto jsou ve vývoji i jiné stálé paměti, a některé z nich se už dokonce používají, přestože zatím mají malou kapacitu. Jedná se například o feroelektrické (tj. elektricky polarizované) RAM nebo magnetické RAM, které se používají v různých chytrých kartách (lyžařské pasy, elektronické průkazky atd.). Oba typy pamětí mají své výhody a nevýhody a ideální by bylo je zkombinovat, tj. vyrobit paměti z materiálů, které by byly zároveň feroelektrické i magnetické.

V přírodě bohužel existuje jen velmi málo takových materiálů a ty fungují prakticky jen při nízkých teplotách pod -250 °C. Proto se v současné době hledají nové materiály s požadovanými elektrickými a magnetickými vlastnostmi.


Obr. 1: Teoreticky předpovězený vliv dvouosého mechanického napětí od podložky na vlastnosti EuTiO3. Záporné kompresní i kladné tenzální napětí by mělo indukovat feromagnetickou (FM) a feroelektrickou (FE) fázi v původně antiferomagnetickém (AFM) a paraelektrickém (PE) EuTiO3. Prakticky byly studovány vrstvy na třech podložkách: LSAT (tj. (LaAlO3)0.29-(SrAl1/2Ta1/2O3)0.71), SrTiO3 a DyScO3. Pouze na poslední podložce byla pozorována FM a FE fáze.

Skupina S. Kamby z Fyzikálního ústavu AV ČR společně s řadou amerických spolupracovníků teoreticky navrhla a také experimentálně využila mechanického napětí ve velmi tenkých vrstvách EuTiO3 k umělé přípravě feroelektrika, které je zároveň silným umělým magnetem. Daný jev zatím funguje jen při nízkých teplotách hluboko pod pokojovou teplotou, ale přínosem je, že vědci ukázali, že tenkovrstevné materiály mohou mít vlivem mechanického napětí od podložky kompletně jiné vlastnosti než objemové materiály. V současné době vědci pracují na jiných tenkovrstevných materiálech, jež by měly mít požadované vlastnosti nad pokojovou teplotou. Magnetické vlastnosti takovýchto vrstev by se měly dát rychle ovládat elektrickým polem a toho by se dalo využít v budoucích stálých počítačových pamětech, které by svá data uchovávaly i po výpadku proudu.

Článek byl přijat do tisku v prestižním časopise Nature.

Odkazy & Download:
Domovská stránka Akademie věd ČR
Objev nového materiálu pro stálé elektronické paměti
Akademie věd ČR ocenila české vědce







GooglePlus1 FaceBook Twitter del.icio.us DiGG Google StumbleUpon Google Buzz Email RSS PDF Tisk

Komentáře:
Název příspěvku: Vaše jméno: host
                 
  Zakázat formátování [Zakáže kódování a nahrazování smajlíky.]
Připojit soubory
reklama:
M66 QUECTEL
Quad-Band GSM/GPRS SMD modul s Bluetooth a rozměry 15,8 x 17,7 mm.
Skladem od 289 Kč

Informace uvedené v článcích jsou platné v době jejich vydání a samotné články jsou určeny pouze jako zdroj informací. Autor článku ani správce webu nenesou žádnou zodpovědnost za případné újmy na majetku a zdraví. Názvy společností a výrobků, loga a další multimediální materiál mohou být ochrannými známkami příslušných společností.
RSS kanály: | |
+420 723 846 377
info@pandatron.cz
Všechna práva vyhrazena | mobilní verze | © Copyright 2000 - 2016 ISSN 1803-6007