. : New eShop! - Mobilní verze - Pandatron.cz - Pandatron.sk - Diskuzní fórum - Zakázkový vývoj : .
 
Obvody NexFET Power Block od TI v pouzdře 3x3mm
18. března 2011 - 8:45 | Pandatron | Obvody NexFET Power Block od TI v pouzdře 3x3mm | Komentářů: 0  

Obvody NexFET Power Block od TI v pouzdře 3x3mm

Texas Instruments představuje nové obvody NexFET Power Block v úsporném pouzdře SON s rozměry pouhých 3 x 3 mm.

Texas Instruments představuje nové obvody NexFET Power Block v úsporném pouzdře SON s rozměry pouhých 3 x 3 mm. Nový Power Block CSD86330Q3D dosahuje účinnosti přes 90% při proudu 15A a vyžaduje méně než polovinu plochy desky, která by byla potřeba pro obdobné řešení se dvěma diskrétními MOSFETy v pouzdrech QFN.


Obr. 1: Obvody NexFET Power Block od TI v pouzdře 3x3mm

Obvody CSD86330Q3D jsou určené pro využití v synchronních měničích, kde je nutné zajistit vysoký proud a dobrou účinnost při vysoké pracovní frekvenci. Jejich optimalizace pro 5V aplikace nabízí flexibilní řešení a s externím budičem umožňuje dosažení vysoké proudové hustoty.


Obr. 2: Typická účinnost a ztráty v závislosti na spínaném proudu
 
Obr. 3: Průběh saturačního napětí

Obvody patří do skupiny produktů NexFET Power Block, která v roce 2010 získala prestižní ocenění v časopise Electronic Products. Jejich redakční rada vybere každý rok několik nových elektronických produktů, kterým udělí své ocenění. Obvody Power Block byly vybrány pro svůj inovativní přístup k designu a výrazný nárůst výkonu.


Obr. 4: Aplikační schéma zapojení

Základní vlastnosti a výhody CSD86330Q3D:

  • Pouzdro SON s 3 x 3 mm vyžaduje pouze poloviční plochu ve srovnání se dvěma diskrétními tranzistory MOSFET s pouzdrech QFN
  • Díky vysoké účinnosti má teplota čipu pouze o 15 °C víc než jaká je okolní teplota, nevyžaduje tedy nucené proudění vzduchu.
  • Vysoká výkonová hustota ušetří na desce s plošnými spoji až 10 mm2
  • Dvojnásobná pracovní frekvence zachovává nízký ztrátový výkon, ale snižuje velikost výstupního filtru a tím oproti konkurenčním řešením snižuje i cenu celého řešení
  • Pouzdro SON se zemní plochou zjednodušuje montáž a zlepšuje tepelný poměr
Stáhněte si prosím Flash Player pro přehrávání videí.

Dostupnost a cena:
Obvody NexFET Power Block jsou již k dispozici a to v SON provedení s rozměry 3 x 3 mm. Navrhovaná maloobchodní cena je pro CSD86330Q3D stanovena na 0,95 USD/ks při odběru 1 000 ks. Zájemcům jsou rovněž k dispozici příslušné vzorky a vyhodnocování moduly.


Obr. 5: Přehled nových produktů řady NexFET™ Power Block

Více informací naleznete na www.ti.com/powerblock-preu.

Odkazy & Download:
Domovská stránka firmy Texas Instruments
Domovská stránka firmy Texas Instruments v českém jazyce
Přehled distributorů

NexFET portfolio
NexFET fórum na TI E2E™ Community
Datasheet - Synchronous Buck NexFET Power Block







GooglePlus1 FaceBook Twitter del.icio.us DiGG Google StumbleUpon Google Buzz Email RSS PDF Tisk

Komentáře:
Název příspěvku: Vaše jméno: host
                 
  Zakázat formátování [Zakáže kódování a nahrazování smajlíky.]
Připojit soubory
reklama:
USB teploměr
Digitální USB teploměr s možností připojení externího čidla, funkcí termostatu se zasíláním e-mailu i přenosem dat na webový server.
Skladem od 500 Kč

Informace uvedené v článcích jsou platné v době jejich vydání a samotné články jsou určeny pouze jako zdroj informací. Autor článku ani správce webu nenesou žádnou zodpovědnost za případné újmy na majetku a zdraví. Názvy společností a výrobků, loga a další multimediální materiál mohou být ochrannými známkami příslušných společností.
RSS kanály: | |
+420 723 846 377
info@pandatron.cz
Všechna práva vyhrazena | mobilní verze | © Copyright 2000 - 2016 ISSN 1803-6007