. : New eShop! - Mobilní verze - Pandatron.cz - Pandatron.sk - Diskuzní fórum - Zakázkový vývoj : .
 
Tranzistory XS DrMOS druhé generace
6. října 2015 - 1:00 | Pandatron | Tranzistory XS DrMOS druhé generace | Komentářů: 0  

Tranzistory XS DrMOS druhé generace

Společnost Fairchild představila tranzistory druhé generace XS DrMOS umožňující řízení frekvencí až 2 MHz a spínání proudu do 50 A s redukcí vyzařování.

Společnost Fairchild Semiconductor představila novou rodinu tranzistorů druhé generace XS™ DrMOS (MOSFET + integrovaný budič). Díky svému vysokému výkonu a specifickým vlastnostem jsou tranzistory vhodné nejen pro aplikace napájecích zdrojů, ale umožňují použití i v celé řadě dalších zařízení.


Obr. 1: Tranzistory XS DrMOS druhé generace

Základní vlastnosti:

  • Dosahovaná účinnost až 93%
  • Možnost řízení proudu až 50 A
  • Podpora řízení z třístavových PWM regulátorů
  • Nižší zpoždění ve srovnání s FDMF6704
  • Indikace přehřátí čipu
  • Technologie Fairchild SyncFET™ a PowerTrench® pro omezení vyzařování
  • Spínací frekvence až 2 MHz
  • Splňují standard Intel® 4.0 DrMOS
  • Dostupné ve výkonové provedení PQFN


Obr. 2: Rozložení XS DrMOS druhé generace

Tranzistory Fairchild FDMF6705, FDMF6705V, FDMF6706C FDMF6707B řady DrMOS jsou dostupné v malých pouzdrech typu PQFN s rozměry jen 6 x 6 mm. Při vstupním napětí 12 V, výstupní napětí 1 V a proudu 25 A zajišťují účinnost až 91,5 %, přičemž jejich maximální dosahovaná účinnost je až 94 %. Tím však výčet předností nekončí, mezi další zajímavé vlastnosti tranzistorů DrMOS je možné zařadit i spínací frekvenci až 2 MHz a schopnost řídit proud až 50 A.


Obr. 3: Vnitřní blokové schéma tranzistoru FDMF6707B

Zároveň je nutné zmínit, že vývoj technologie 2. Generace tranzistorů XS DrMOS vychází z dlouholetých zkušeností a bohatých odborných znalostí vývojářů společnosti Fairchild z vývoje tranzistorů řady MOSFET. Nová generace však přináší nejen nové funkce, ale zároveň i vyšší účinnost. Tranzistory XS DrMOS jsou tak ideální především pro aplikace jako jsou blade servery, herní konzole, moderní výkonné notebooky, grafické karty či POL DC/DC měniče.


Obr. 4: Účinnost vs. výstupní proud při 300 kHz

Všechny tranzistory z uvedeného portfolia jsou vhodné pro řízení třístavovou logikou s úrovněmi 3,3 a 5 V, v souladu s požadavky specifikace Intel® 4.0 DrMOS a jsou tedy plně kompatibilní s většinou PWM regulátorů a mikrokontrolérů. Druhá generace XS DrMOS využívá i technologii stínění elektrody Gate, známé z tranzistorů PowerTrench® MOSFET a synchronních usměrňovačů, díky které má výrazně nižší vyzařování. Integrovaná Schottky dioda pak eliminuje potřebu externích obvodů a snížením kapacity dále zvyšuje účinnost a snižuje cenu celého zařízení. Rovněž XS DrMOS integrují ochrannou funkci hlídající teplotu čipu, která zabraňuje přehřátí obvodů například při poruchovém stavu zařízení.


Obr. 5: Přehled tranzistorů řady FDMF670x

Dostupnost a cena:
Tranzistory řady XS DrMOS jsou již dostupné a to v ceně od 2,9 do 4 USD/ks při 1.000 ks. Více informací získáte na webových stránkách společnosti Fairchild.

Odkazy & Download:
Domovská stránka výrobce
Přehled distributorů a kontaktů

Fairchild Semiconductor’s Generation II XS™ DrMOS Devices Offer 94% Efficiency
GENERATION II XS™ DrMOS FAMILY
Datasheet FDMF6707B







GooglePlus1 FaceBook Twitter del.icio.us DiGG Google StumbleUpon Google Buzz Email RSS PDF Tisk

Komentáře:
Název příspěvku: Vaše jméno: host
                 
  Zakázat formátování [Zakáže kódování a nahrazování smajlíky.]
Připojit soubory
reklama:
PU232C - převodník USB-UART, modul
Modul s obvodem CP2102 od Silicon Labs - převodník USB-UART pro vývoj a malosériovou výrobu.
od 190 Kč

Informace uvedené v článcích jsou platné v době jejich vydání a samotné články jsou určeny pouze jako zdroj informací. Autor článku ani správce webu nenesou žádnou zodpovědnost za případné újmy na majetku a zdraví. Názvy společností a výrobků, loga a další multimediální materiál mohou být ochrannými známkami příslušných společností.
RSS kanály: | |
+420 723 846 377
info@pandatron.cz
Všechna práva vyhrazena | mobilní verze | © Copyright 2000 - 2016 ISSN 1803-6007